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工研院 发表下世代FRAM与MRAM技术

工研院在美国举办的IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting,大发极速pk10规则IEDM)中发表三篇铁电记忆体(Ferroelectric RAM,FRAM)以及三篇磁阻随机存取记忆体(Magnetoresistive Random-Access Memory,MRAM)相关技术重要论文,引领创新研发方向,为新兴记忆体领域中发表篇数最多者;工研院电光系统所所长吴志毅表示,两者都是非挥发性记忆体,都具备低待机功耗、高处理效率的优势,未来应用发展潜力可期。工研院表示,IEDM为年度指标性的半导体产业技术高峰会议,每年由来自全球最顶尖的半导体与奈米科技专家一同探讨创新的电子元件发展趋势,工研院发表多篇新兴记忆体,展现团队深耕记忆体领域获国际肯定的丰硕成果,同时发表论文的机构包括英特尔、台积电(2330)、三星等国际顶尖半导体公司。 吴志毅表示,5G与AI时代来临,摩尔定律一再向下的微缩,半导体走向异质整合,不同的技术整合性越来越强,能突破既有运算限制的下世代记忆体将在未来扮演更重要角色;新兴的FRAM及MRAM读写速度比大家所熟知的快闪记忆体快上百倍、甚至千倍。吴志毅说,FRAM的操作功耗极低,适合IoT与可携式装置应用,MRAM速度快、可靠性好,适合需要高性能的场域,像是自驾车,云端资料中心应用等,两者都是非挥发性记忆体,都具备低待机功耗、高处理效率的优势,未来应用发展潜力可期。在MRAM技术的开发上,工研院也在IEDM中发表自旋轨道转矩(Spin Orbit Torque;SOT)MRAM相关的最新研成果。相较于台积电、三星等即将导入量产的第二代MRAM技术,SOT-MRAM为全球积极研究中的最新第三代技术,以写入电流不流经元件磁性穿隧层结构的方式运作,避免现有MRAM操作时,读、写电流均直接通过元件对元件造成损害的状况,同时也具备更稳定、更快速存取资料的优势。相关的技术并已成功的导入工研院自有的试量产晶圆厂,后续商品化的进度可期。在经济部科专的支持下,工研院在全球指标性的IEDM中发表新兴记忆体相关成果;工研院将以累积多年的记忆体元件相关研发能量,携手半导体厂商,抢攻下一波5G与AI趋势发展商机。

原标题:曾掀起“冰桶挑战”热潮美国渐冻症患者弗雷茨去世  12月10日消息:当地时间9日,为渐冻症募款的冰桶挑战发起人、美国波士顿学院前棒球手皮特·弗雷茨去世,享年34岁。  据报道,弗雷茨是在麻州波士顿郊区贝弗利的家中去世的。他的家人在一份声明中说,“皮特与肌萎缩性脊髓侧索硬化症(ALS)勇敢奋斗后,在家人陪伴下安详辞世,享年34岁。”    资料图:冰桶挑战。王东明摄  声明中还写道,“皮特激励了世界各地的很多人,他们从他的勇气和韧性中汲取力量。”  “皮特是天生的领导者和终极队友,他是所有人的榜样,尤其是年轻运动员,他们钦佩他在逆境中的勇敢和坚定的积极精神。他是一位高尚的战士,他激励我们所有人利用自己的才能和力量为他人服务。”  2012年,弗雷茨在27岁时被诊断出罹患肌萎缩性脊髓侧索硬化症。得了这种病,患者肌肉会逐渐软弱无力,身体功能日益退化。据称,目前仍无药物可有效治疗。  弗雷茨后来号召一群朋友为渐冻人募资,他发起的活动包括用水桶装冰水倒在头上,然后将过程上传至社交媒体,并且指名其他人接受挑战,一同响应捐款。  渐冻人“冰桶挑战”在2014年夏天席卷全球,美国男星汤姆克鲁斯、导演斯皮尔伯格、微软创始人比尔盖兹,甚至前总统小布什等各界名人都上传挑战视频到社交网站。  美国肌萎缩性脊髓侧索硬化症协会报告称,这项活动募得超过2.2亿美元的资金。  弗雷茨2017年曾被误传去世,当时他幽默回应谣言,上传45秒视频到社交媒体,画面中可以看到他躺在医院病床上,背景音乐放着美元摇滚乐队珍珠果酱的歌曲《活着》(Alive),表示他还活着。

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本文来源:送彩金100可提款mg游戏 责任编辑:大发极速pk10规则 2019年12月10日 13:04:27

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